Samsung anunciará en su conferencia de prensa anual en Seúl el primer dispositivo de memoria de 40nm, que permitirá la construcción de tarjetas CF de más de 64 Gb. La arquitectura CTF (Charge Trap Flash) permitirá incluso más densidad y menos ruido en la transferencia de datos interno de las memorias, con lo que se podría llegar a los 20nm y, por tanto, a más capacidad de almacenamiento.
En 64 Gb. caben 64 horas de MPEG2 -calidad DVD- o 16.000 canciones en MP3, y un montón de fotos.
La info en inglés.